shallow trench isolation製程
淺矽溝槽製程(ShadowTrenchIsolationProcess)正是做為半導體製程中隔離電晶體開與關的功能,但是在製造過程當中遇到缺陷(Defect)便會影響到產品的穩定 ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforreducingel...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
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本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。
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